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PHI公司的PHI 710 俄歇電子能譜儀是一臺設計的高性能的俄歇電子能譜（AES）儀器。該設備能分析納米級特征區域,超薄薄膜和多層結構表界面的元素態和化學態信息。作為高空間分辨率,高靈敏度和高能量分辨率的俄歇電子能譜儀, PHI 710可以為用戶提供納米尺度方面的各種分析需求。
俄歇電子能譜儀 PHI 710 主要特點：
SEM分辨率≤ 3 nm, AES分辨率≤ 8 nm
在俄歇能譜的采集分析過程中，包括譜圖，深度剖析及元素分布像，需要先在SEM圖像上定義樣品分析區域，必然要求束斑直徑小且穩定。PHI 710的SEM圖像的空間分辨率優于3nm,AES的空間分辨率優于8nm(@20kV,1nA),如下圖所示：
圖2則是關于鑄鐵韌性斷裂的界面分析，左邊是SEM圖像,中間是鈣、鎂、鈦的俄歇成像,右邊則是硫的俄歇成像,這充分證明了PHI 710在納米級尺度下的化學態的分析能力。
俄歇電子能譜儀 同軸筒鏡分析器（CMA）：
PHI 公司電子設備和分析器同軸的幾何設計,具有靈敏度高和視線無遮攔的特點,滿足了現實復雜樣品對俄歇分析多方面表征能力的需求。如上圖所示,所有俄歇的數據都是從顆粒的各個方向收集而來,成像沒有陰影。
若設備配備的不是同軸分析器,則儀器的靈敏度會降低,并且成像有陰影,一些分析區域會由于位置的原因,而無法分析。如果想要得到高靈敏度,只能分析正對著分析器的區域。如下圖所示,若需要對顆粒的背面,顆粒與顆粒之間的區域分析,圖像會有陰影。
俄歇電子能譜儀的化學態成像：
圖譜成像
PHI710能從俄歇成像分析的每個像素點中提取出譜圖的相關信息,該功能可以實現化學態成像。
高能量分辨率俄歇成分像
下圖是半導體芯片測試分析,測試的元素是Si。通過對Si的俄歇影像進行線性小二乘法擬合（LLS）,俄歇譜圖很清楚的反映出了三個Si的不同化學態的區域,分別是：單質硅、氮氧化硅和金屬硅,并且可以從中分別提取出對應的Si的俄歇譜圖,如第三行三張圖所示。
納米級的薄膜分析
如下SEM圖像中,以硅為襯底的鎳的薄膜上有缺陷,這是由于退火后,在界面處形成了硅鎳化合物。分別在缺陷區域和正常區域設定了一個分析點,分析條件為高能量分辨率模式下（0.1%）,電子束直徑20nm,離子設備采用0.5kV設定,如下圖所示:在MultiPak軟件中,采取小二乘擬合法用于區分金屬鎳和硅鎳化合物,同樣區分金屬硅和硅化物。可以看出,硅鎳化合物只存在于界面處,而在鎳薄膜層和硅襯底中都不存在。但是,在鎳涂層的缺陷處,發現了硅鎳化合物。
PHI SmartSoft-AES用戶界面：PHI SmartSoft是一個從用戶需求出發而設計的軟件。該軟件通過任務導向的方式指引用戶導入樣品,定義分析點,并設置分析條件,可以讓新手快速,方便地測試樣品,并且用戶可以很方便的重復之前的測量。
PHI MultiPak 數據處理軟件：MultiPak軟件擁有多方面的俄歇能譜數據庫。采譜分析,線掃描分析,成像和深度剖析的數據都能用MultiPak來處理。軟件強大的功能包括譜峰的定位,化學態信息及檢測限的提取,定量測試和圖像的增強等。
選配件：
1. 真空室內原位樣品泊放臺；
2. 原位脆斷；
3. 真空傳送管；
4. 預抽室導航相機；
5. 電子能量色散探測器（EDS）；
6. 電子背散射衍射探測器（EBSD）；
7. 背散射電子探測器（BSE）；
8. 聚焦離子束（FIB）；
俄歇電子能譜儀應用領域：
•半導體器件:缺陷分析、蝕刻／清潔殘余物分析、短路問題分析、接觸污染物分析、界面擴散現象分析、封裝問題分析、FIB器件分析等。
•顯示器組件:缺陷分析、蝕刻／清潔殘余物分析、短路問題分析、接觸污染物分析、接口擴散現象分析等。
•磁性存儲器件:表面多層、表面元素、界面擴散分析、孔洞缺陷分析、表面污染物分析、磁頭缺陷分析、殘余物分析等。
•金屬、合金、玻璃及陶瓷材料：表面沉積物分析、清潔污染物分析、晶間晶界分析等。
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