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產品中心少子壽命測試儀（MDP）單晶和多晶硅片壽命測量儀(MDPmap)MDPmap-1MDPmap單晶和多晶硅片壽命測量儀
產品簡介
產品分類
MDPmap：
單晶和多晶硅片壽命測量設備用于復雜的材料研究和開發。
特點：
◇ 靈敏度：高的靈敏度，用于可視化迄今為止不可見的缺陷和調查外延層的情況
◇ 測量速度：6英寸硅片<5min，分辨率為1mm
◇ 壽命范圍：20ns到幾十ms
◇ 污染測定：源于坩堝和設備的金屬（鐵）污染
◇ 測量能力：從切割好的硅片到加工的樣品
◇ 靈活性：固定的測量頭可以與外部激光器連接并觸發
◇ 可靠性：模塊化和緊湊型臺式儀器，可靠性更高，正常運行時間>99%
◇ 重復性：> 99%
◇ 電阻率：電阻率測繪，無需頻繁校準
技術規格:
樣品尺寸 | 直徑達300mm（標準臺），直徑達450mm（定制），*小為5 x 5mm |
壽命測量范圍 | 20ns至幾十ms以上 |
電阻率 | 0.2 - >103Ω·cm，p-型/n-型 |
樣品材料 | 硅片、外延層、部分或加工的硅片、化合物半導體及更多材料 |
可測量的特性 | 壽命 - μ-PCD/MDP (QSS), 光導率 |
激發波長 | 選擇從355nm到1480nm的*多四個不同波長。980nm(默認) |
尺寸規格 | 體積：680 x 380 x 450毫米；重量：約65公斤 |
電源 | 100 - 250V, 50/60 Hz, 5 A |
MDPmap單晶和多晶硅片壽命測量儀 - 細節：
◇ 用于研發或生產監控的靈活測繪工具◇ MDPmap被設計成一個緊湊的臺式非接觸電學表征工具，用于離線生產控制或研發，在穩態或短脈沖激勵（μ-PCD）下，在一個寬的注入范圍內測量參數，如載流子壽命、光導率、電阻率和缺陷信息。自動化的樣品識別和參數設置允許輕松適應各種不同的樣品，包括外延層和經過不同制備階段的晶圓，從原生晶圓到高達95%的金屬化晶圓。
◇ MDPmap的主要優點是它的高度靈活性，例如，它允許集成多達四個激光器，用于測量從較低到高的注入水平的壽命，或通過使用不同的激光波長提取深度信息。包括偏置光設施，以及μ-PCD或穩態注入條件的選項。可以用不同的地圖進行客戶定義的計算，也可以輸出主要數據進行進一步評估。對于標準的計量任務，預定義的標準只需按下一個按鈕就能進行常規測量。
附加選項：
◇ 光斑大小的變化
◇ 電阻率測量（晶圓）
◇ 方塊電阻
◇ 背景/偏光
◇ 反射測量（MDP）
◇ 太陽能電池的LBIC（擴散長度測量）
◇ 偏壓MDP
◇ 參考晶圓
◇ 硅的內部/外部鐵制圖
◇ 集成加熱臺
◇ 靈活的激光器配置
MDPmap單晶和多晶硅片壽命測量儀 - 測量案例：
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鈍化多晶硅的壽命圖 | 多晶硅的鐵污染圖 |
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| 單晶硅的硼氧圖 | 單晶硅的缺陷密度圖 |
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| 碳化硅外延片（＞10μm）-少數載流子壽命mapping圖（平均壽命τ=0.36μs） | |
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| 高阻硅片（＞10000Ω·cm）-少數載流子壽命mapping圖 | |
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| 非鈍化硅外延片（20μm）-少數載流子壽命mapping圖 | |
MDPmap 應用：
鐵濃度測定
鐵的濃度的精確測定是非常重要的，因為鐵是硅中豐富也是有害的缺陷之一。因此，有必要盡可能準確和快速地測量鐵濃度，具有非常高的分辨率且**是在線的
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摻雜樣品的光電導率測量
B和P的摻雜在微電子工業中有許多應用，但到目前為止，沒有方法可以在不接觸樣品和由于必要的退火步驟而改變其性質的情況下檢查這些摻雜的均勻性。迄今為止的困難……
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陷阱濃度測定
陷阱中心是非常重要的，為了了解材料中載流子的行為，也可以對太陽能電池產生影響。因此，需要以高分辨率測量這些陷阱中心的陷阱密度和活化能。
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注入相關測量
少數載流子壽命強烈依賴于注入(過剩余載流子濃度)。從壽命曲線的形狀和高度可以推斷出摻雜復合中心和俘獲中心的信息。
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